5月20日消息，ASML首席执行官傅恪礼正式宣布，首批采用新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世。这批产品覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域，标志着High-NA EUV光刻技术正式进入实际制造阶段。
傅恪礼指出，High-NA EUV光刻机是面向2nm以下先进制程的核心图形化设备，能够有效降低顶尖芯片的电路光刻成型成本。同时，该设备可适配AI芯片、HBM（高带宽内存）及DRAM（动态随机存取存储器）等高端存储芯片的制造需求。他强调，尽管设备初期投入高昂，但随着技术成熟与规模化应用，单颗芯片的光刻成本将逐步摊薄。
该设备的造价极为昂贵。数周前，ASML的最大客户台积电公开表示，单台High-NA EUV光刻机造价高达4亿美元，约为现有EUV设备的两倍，暂不具备大规模采用的条件。
与台积电的谨慎不同，英特尔在High-NA EUV的部署上积极推进。该公司已在波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装，累计处理晶圆数量超过3万片。英特尔目标是在2027年至2028年间实现14A制程的大规模量产。
存储芯片制造商SK海力士同样明确表示计划采用High-NA EUV技术，预计今年首次导入，用于下一代DRAM内存的生产。
技术优势与成本权衡
相较于传统EUV光刻机，High-NA EUV通过提升光学系统分辨率，可实现特征尺寸缩小高达66%。这一提升相当于相机对焦更为精准，使其能够在硅片上刻画出更细密的电路图案，是突破先进制程物理极限的关键技术。尽管单台设备造价高昂，但ASML设计初衷正是随着技术成熟与出货规模扩大，逐步摊薄单颗芯片的光刻成本，从而在高端芯片制造中展现其经济性。
产业格局分化
面对High-NA EUV，全球主要芯片制造商展现出不同策略。台积电认为4亿美元的造价在现阶段不具备经济效益。英特尔已先行安装两台设备推进试产，目标在2027至2028年实现14A制程量产。SK海力士则计划今年导入该技术用于下一代DRAM的生产。三大巨头的选择反映出High-NA EUV在性能提升与成本压力之间的复杂平衡。
首批采用High-NA EUV光刻机制造的芯片产品即将问世，意味着这一尖端光刻技术已从设备交付迈入制造验证阶段。未来数月内，逻辑与存储领域的首批成果将陆续揭晓其实际表现。
本文参考来源：快科技
