Lexar区域经理预警：RAM价格年底将翻倍，AI挤占产能是主因
Lexar区域经理Chris Xia警告，AI对HBM的需求挤占消费级DRAM产能，RAM价格预计2026年底翻倍。当前折扣仅为清库存假象，消费者应尽快按需购买。
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长鑫存储DDR5低价传闻不实，2026台北电脑展厂商称价格与三星、SK海力士、美光持平
在Computex 2026上，Wccftech从内存厂商获悉，长鑫存储（CXMT）的DDR5内存价格与三星、SK海力士、美光相当，并未出现传闻中的低价。其优势在于专注客户端市场，而非价格竞争。
SK海力士产能翻倍计划早于黄仁勋晶圆留言，2030年月产DRAM目标100万片
SK海力士早在黄仁勋ComputeX留言之前就已规划产能翻倍，目标2030年月产DRAM晶圆100万片，中国工厂承担核心角色，AI内存供需矛盾仍将持续。
博通AI芯片指引低于预期 亚太存储供应链承压分化
博通AI芯片指引未达预期，股价重挫拖累三星、SK海力士等亚太存储股。HBM供应链面临需求不确定性，但训练端短缺依旧，定制芯片商业模式挑战显现。
前三星高管：中国DRAM产能将在2027年下半年推动内存价格下跌
前三星设备解决方案（Samsung Device Solutions）部门负责人、现任三星高级顾问Khe-hyun Kyung在韩国国家工程院（NAEK…
ASML确认High-NA EUV光刻机即将出货首批芯片，覆盖2nm以下制程
ASML CEO傅恪礼宣布首批采用高数值孔径EUV光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑与存储芯片。台积电表示单台设备造价达4亿美元，暂不具规模化条件；英特尔已安装两台并推进14A制程量产；SK海力士计划今年导入用于下一代DRAM。
SK海力士2026财年第一财季营业利润37.61万亿韩元，同比增长60.27%
SK海力士发布2026财年第一财季财报，营业总收入52.58万亿韩元，同比降20.57%；营业利润37.61万亿韩元，同比增60.27%，盈利水平显著提升。
移动DRAM合约价格持续攀升 2026年第二季度智能手机品牌成本承压
TrendForce报告显示，2026年第二季度移动DRAM合约价格继续上涨，给智能手机品牌带来物料成本压力。三星采取激进的一步式涨价策略，SK海力士则选择温和渐进提价，两者定价策略分化明显。AI需求对HBM产能的挤占是推动DRAM价格上涨的主要因素。
AI 需求推动 SK 海力士市值逼近万亿，韩国芯片产业再添里程碑
SK 海力士市值逼近 1 万亿美元，得益于 AI 对 HBM 及传统存储的需求，股价年内涨超 200%。韩国有望成为美国以外首个拥有两家万亿市值企业的国家，芯片巨头在全球 AI 供应链中的关键地位愈发凸显。
AI驱动存储需求，SK海力士市值突破万亿在即
韩国半导体巨头SK海力士正逼近万亿美元市值大关。据媒体报道，受人工智能带动的存储芯片需求持续升温，SK海力士股价连…
固态硬盘主控与闪存颗粒全解析（2025年版，含长江存储）
固态硬盘作为现代存储技术的革命性产品，其性能与可靠性直接受两大核心组件影响：主控芯片与闪存颗粒。主控芯片是SSD的…
SK海力士成功量产238层4D NAND闪存，为全球首家
韩国半导体公司SK海力士6月8日宣布，已经成功量产目前全世界最高堆叠层数的238层4D NAND闪存，即我们固态硬盘中使用的…