Lexar区域经理预警:RAM价格年底将翻倍,AI挤占产能是主因

Lexar区域经理Chris Xia警告,AI对HBM的需求挤占消费级DRAM产能,RAM价格预计2026年底翻倍。当前折扣仅为清库存假象,消费者应尽快按需购买。

Lexar(雷克沙)澳洲与新西兰区域经理Chris Xia近日发出警告:受AI数据中心对高带宽内存(HBM)的持续吞噬,消费级DRAM内存条的价格预计在2026年底翻倍。当前市场上出现的短暂价格稳定甚至折扣,实为经销商清理旧库存或从其他区域调货所致,并非涨价趋势逆转,消费者需警惕这一“价格幻觉”。

AI吞噬产能,消费级DRAM供应持续萎缩

Chris Xia指出,三星(Samsung)、SK海力士(SK hynix)和美光(Micron)三大内存原厂目前几乎将所有新增产能分配给高带宽内存(HBM),以满足AI训练和推理基础设施的爆发式需求。消费级DDR5及更早期的DRAM颗粒产能被严重挤压,供应量持续下降。根据行业内信息,2026年全年内存晶圆产能已被预购一空,2027年的订单正在竞标中,这意味着未来至少18个月内消费级内存的供给紧张局面难以缓解。

成本传导存在明显滞后。Chris Xia表示,从上游晶圆涨价到终端零售价调整,通常需要8至9个月。当前内存市场虽然出现过短暂降价,但反映的仍是数月前的成本结构,随着高价库存逐步到港,零售端价格将急速攀升。Sapphire公关经理Edward Crisler曾在2025年12月预计DRAM价格将在6至8个月内趋稳,但实际情况已偏离这一判断。

内存条插在主板上的概念图,配图来自Tom's Hardware
内存条价格预计在2026年底翻倍,当前折扣仅为清库存手段。

短期折扣从何而来?清库存与跨区调货

2026年中,部分市场(尤其是欧洲和中国)的DRAM价格出现企稳甚至小幅回落,一些零售商开始以折扣价或搭配整机销售内存套件。Chris Xia解释,这并非供需关系改善,而是经销商在主动清理剩余旧库存,以回笼资金并腾出仓储空间接收即将到货的高价新品。也有部分分销商通过从其他仍有低价旧库存的区域调货来获取低成本货源,从而在短期内维持较低售价。但这些做法不可持续——一旦旧库存清空,价格将立刻回归上涨通道。

“如果你需要买内存,现在就应该买,不要指望未来几年有更低价格。”Chris Xia在采访中直言。事实上,从2024年末至今,消费级DRAM价格已经经历了多轮上涨,主流DDR5 32GB套装的零售价普遍较此前上涨了40%~60%,而AI驱动的产能抢夺仍在加剧。

涨价的连锁反应:PC、笔记本与智能手机无一幸免

内存价格上涨的影响已超出DIY装机市场。主板销量出现下滑,因为不断增加的RAM和SSD成本令DIY用户犹豫是否升级系统。笔记本领域同样感受到压力,整机厂商被迫上调配置价格或缩减标配内存容量。智能手机行业则面临更艰难的选择:要么提高零售价,要么降低内存/闪存规格来维持利润,这可能导致部分机型配置倒退或销量下降。

从更宏观的视角看,AI基础设施对存储和内存资源的虹吸效应正在重塑整个半导体产业链的分配格局。对于普通消费者而言,短期内唯一能做的就是抓住旧库存清理期的短暂窗口,或接受未来更昂贵的升级成本。

名词解释与规格科普

名词解释:

DRAM:动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory),是计算机和手机等设备中用于临时存储运行数据的易失性内存,通常以内存条形式存在(如DDR4、DDR5)。DRAM的容量和频率直接影响系统多任务处理与数据吞吐能力。

HBM(高带宽内存):高带宽内存(High Bandwidth Memory)是一种通过硅通孔(TSV)和微凸点技术垂直堆叠DRAM芯片的超高带宽内存,广泛应用于AI加速卡、高性能计算GPU等需要极高数据吞吐的场景。当前HBM3E是AI数据中心的主流选择,其产能正在挤压消费级DRAM。

内存颗粒:内存颗粒即DRAM裸片(Die),是构成内存条的最小存储芯片单元。单根内存条上通常有8~16颗颗粒,颗粒的制程工艺和品质决定了内存的频率、时序和稳定性。原厂(三星、SK海力士、美光)直接控制颗粒产能,其分配策略直接影响终端价格。

本文参考来源:Tom's Hardware



微信扫描下方的二维码阅读本文

Lexar区域经理预警:RAM价格年底将翻倍,AI挤占产能是主因 - 128GB内存, 12层HBM, AF 56mm f/1.7 Air, DRAM, Lexar, SK海力士, 三星, 美光

发表回复