美光投资1.5万亿日元扩建广岛工厂：2028年量产1γ工艺HBM芯片
美光于2026年7月4日启动日本广岛DRAM产能扩建项目，投资约1.5万亿日元，将工艺升级至1γ，计划2028年下半年量产HBM芯片。日本经济产业省补贴5000亿日元。此次扩建将显著提升美光在HBM市场的竞争力。
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长鑫存储研发无EUV高密度DRAM：采用DUV键合堆叠技术
长鑫存储（CXMT）正在研发一种不依赖EUV光刻机的高密度DRAM，采用DUV设备与键合堆叠技术。苹果正积极推进与CXMT的DRAM合作，以应对AI数据中心引发的内存短缺风险。
美国PC出货量Q1下滑7%，均价突破1000美元，Omdia预测2029年复苏
Omdia报告显示，2025年Q1美国PC出货量同比下降7%，均价预计年内突破1000美元。低价位段出货受压缩，戴尔拿下市占第一。复苏预计2027年启动，2028年恢复到2025年水平。
韩国政府联合企业投资1万亿美元：DRAM产能翻倍，2028年量产3万台人形机器人
韩国政府联合三星、SK海力士、现代汽车等企业宣布投资1万亿美元（约7.2万亿元人民币），推进内存芯片扩产、AI数据中心建设和人形机器人商业化。目标2028年前DRAM产量翻倍，年产3万台波士顿动力Atlas人形机器人。
斯坦福大学DAM项目发布涵盖DRAM/HBM/NAND的69年内存价格历史及原始数据
斯坦福大学DAM项目发布内存价格报告，显示1957年至2023年每GB价格下降3210亿倍，近两年因AI需求反弹超600%。
2026年Q3存储价格涨50%、Q4涨40%，2028年前供需持续紧张
存储市场报告显示，2026年Q3存储芯片价格环比上涨40%~50%，Q4上涨30%~40%，涨势贯穿2027年，2028年新产能释放后方可缓解。苹果与美光围绕涨价互相指责，反映供需格局逆转。
苹果计划引入长鑫存储DRAM：12GB LPDDR5X成本飙升超270%，A20采购面临20%缺口
2026年6月苹果上调产品售价应对存储成本上涨，同时寻求从长鑫存储采购DRAM芯片，以缓解2027年DRAM供应缺口。12GB LPDDR5X模组价格从39美元涨至145美元，A20处理器采购量或下降10%-20%。苹果CEO库克卸任前推动供应链调整。
杰富瑞研报：2026年Q3内存价格将涨40-50%，游戏主机面临再度涨价
Jefferies Equity Research预测2026下半年内存价格将两度上涨，Q3涨幅达40-50%。游戏主机如PS5、Xbox Series X成本上升，零售价可能再次上调。报告指出AI需求与HBM产能挤占是主因，主机厂商或面临涨价压力。
美光科技签署5年长期协议：锁定高毛利率，覆盖40%收入
美光科技签署16份战略客户协议，将2026年至2030年的内存产品价格锁定在远高于历史峰值的毛利率水平，覆盖其约40%的收入。公司CEO指出，内存供应短缺因技术复杂和产能限制将持续多年，协议中的客户预付款将用于支持其产能扩张。
美光锁定未来五年高价，16份协议覆盖四成收入
美光科技签署16份战略客户协议，锁定未来五年内存产品价格于历史高位。协议设有保障美光高毛利率的底价及保护客户的上限价，覆盖公司约40%预计营收。此举旨在应对AI等需求驱动下的长期供应短缺，同时为公司产能扩张提供预付资金。
美光锁定16份战略协议：内存价格高位锁定至2030年
美光（Micron）宣布与16家客户签署长期战略客户协议（SCAs），将约40%的未来营收锁定在具有高毛利率的固定价格区间内，有效期大多至2030年。公司CEO表示，此举是基于对内存市场结构性供应短缺将持续多年的判断，协议为客户提供了价格确定性，预付款项也助力美光扩建产能。
美光签署16份战略供应协议：总价千亿美元，称内存危机何时结束无预期
美光宣布签署16份战略客户协议，其中14份总价约千亿美元，并预计获得220亿美元预付款。公司警告称，内存供应短缺预计将持续至2028年，客户因此竞相锁定未来产能。
美光锁定内存高价：16份协议覆盖40%收入，锁至2030年
美光科技签署16份长期战略客户协议，将内存产品底价锁定至2030年，覆盖约40%的收入。协议旨在保障供应并锁定历史高位的毛利率，同时客户获得价格上限保护。此举反映了当前内存市场结构性供应短缺的现状，特别是AI对高性能内存需求的激增。
美光锁定16份长期供货协议：覆盖20%DRAM与33%NAND产能
美光科技宣布已与16家客户签署战略客户协议，锁定了其约20%的DRAM产能和33%的NAND闪存产能，协议涉及预付款220亿美元，全面执行后可覆盖公司超半数营收。此举旨在通过长期绑定确保供应链稳定与成本可控。
美光反驳苹果指责：低周期囤货阻碍产能扩张引发存储涨价
苹果宣布产品涨价并指责存储厂商推高成本。美光科技高管反驳，称部分大客户在行业下行周期以极低价格囤货，导致制造商亏损并被迫中止产能扩张投资，是当前存储芯片供应紧张与价格上涨的根源。文章分析了双方立场及存储市场的周期性特点。
美光签署16份战略协议：锁定未来五年内存高位价格，覆盖40%收入
美光与16个客户签署战略协议，锁定2026-2030年内存价格至历史高位，覆盖40%收入，确保高毛利率。协议源于供应短缺，客户获得价格保护，美光获预付款用于工厂扩建。
谷歌评估从长鑫存储采购DRAM芯片，供应链多元化趋势加速
据报道，谷歌正在评估从中国存储厂商长鑫存储采购DRAM芯片，此举旨在多元化其供应链。采购的芯片可能用于Pixel系列智能手机或云服务器，相关爆料称消息来源为谷歌CEO桑达尔·皮查伊。长鑫存储近期正积极推进产能扩张，此前已有惠普、戴尔等多家PC厂商计划采购其产品。
库克承认内存成本失控，苹果即将全线提价
苹果CEO蒂姆·库克表示，持续上涨的内存与存储芯片成本已不可持续，苹果计划通过提高产品售价来应对。苹果此前已调整部分Mac产品线配置与价格，分析师预计即将发布的iPhone 18 Pro等新品价格也将上涨，这反映了AI热潮引发的全行业内存供应紧张局面。
华为小米引入LLM-DRAM技术：内存带宽提升1.5倍，功耗降50%
为应对端侧大语言模型等AI运算需求，华为与小米正计划在智能手机中引入名为LLM-DRAM的新型内存设计。该技术借鉴高带宽内存（HBM）的集成思路，旨在将内存带宽提升1.5倍，同时降低功耗达50%，以突破移动设备在AI性能上的硬件瓶颈。
SK海力士提前HBM4E样品交付时间表：6月至7月向主要客户发货
SK海力士计划提前向主要客户交付HBM4E内存样品，时间窗口为2026年6月至7月，早于原定计划。此举被视为对竞争对手三星率先交付同类样品的回应，双方在下一代高带宽内存技术领域的竞争进一步白热化。
雷克沙推出AI存储核心SSD：通过闪存卸载大语言模型，DRAM需求可降低40%
雷克沙（Lexar）发布AI Storage Core SSD技术，通过将大语言模型数据卸载到NAND闪存，使32 GB DRAM即可运行122B参数模型，内存需求减少40%以上。
Lexar区域经理预警：RAM价格年底将翻倍，AI挤占产能是主因
Lexar区域经理Chris Xia警告，AI对HBM的需求挤占消费级DRAM产能，RAM价格预计2026年底翻倍。当前折扣仅为清库存假象，消费者应尽快按需购买。
DDR4内存恢复生产但供应仍难缓解，短缺局面或持续至2028年
AI热潮导致内存短缺，厂商在Computex 2026宣布重产DDR4。然而，受制于生产线切换和晶圆争夺，DDR4供应2027年前难改善，DDR5短缺可能延续至2028年。
Panther Lake 另一款高性能 iGPU 藏身产品线，但消费者或许无缘相见
Intel 在 Computex 2026 上展示 Panther Lake 处理器的两款集成显卡 Arc B390（12 Xe 核心）与 Arc B370（10 Xe 核心）。然而 DRAM 涨价导致成本差异缩小，OEM 厂家普遍选择顶配 B390，B370 可能永远不会出现在零售笔记本或掌机中。