2024年以来，一场由人工智能大模型训练引发的高带宽内存（HBM）需求旋风，正在重塑全球存储芯片市场格局。原本处于下行周期的DRAM与NAND Flash价格在短短几个季度内快速拉涨，笔记本电脑、智能手机等消费电子终端产品的成本随之攀升。这一现象被业界称为“RAMageddon”——一个由RAM（随机存取存储器）与Armageddon（世界末日）组合而来的新词，用以形容当前内存市场供应紧张与价格失控的严峻局面。
AI训练需求挤占传统产能
AI大语言模型（LLM）的训练与推理极度依赖高带宽、大容量的内存子系统。英伟达H100/H200等AI加速器普遍搭配HBM3e内存，单颗GPU的HBM容量可达80GB以上。HBM的制造工艺复杂、晶圆消耗量大，同样一片晶圆产出的HBM芯片数量远低于常规DDR5或LPDDR5芯片。在利润驱动下，三星电子、SK海力士、美光科技等存储巨头纷纷将有限的先进制程产能向HBM倾斜。据市场调研机构Counterpoint统计，2024年HBM产值占全球DRAM营收比重已从2023年的约10%跃升至20%以上。
