韩国存储器制造商SK海力士（SK hynix）早在英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋（Jensen Huang）在ComputeX 2026期间于晶圆上书写“Please Make More”之前，就已制定将内存产能翻倍的长期计划。据韩国媒体《The Elec》援引供应链消息，SK海力士计划到2030年将其DRAM晶圆月投片量提升至100万片，较当前水平翻倍，涵盖高带宽内存（HBM）所需的先进DRAM产能。这一扩张计划在2026年ComputeX上由SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）公开确认。
产能扩张计划：五年内翻倍，中国工厂承担重任
根据SK海力士的内部路线图，公司计划在未来五年（2026-2031）内将整体晶圆产能提升一倍。其中，DRAM月产能将从目前的约50万片提升至2030年的100万片，NAND闪存产能也将同步扩大。值得注意的是，这一目标是在黄仁勋公开表达“求货”意愿之前已经由管理层确定，并非外界猜测的市场施压结果。
产能扩张的关键载体包括SK海力士位于中国无锡的DRAM工厂以及大连的NAND工厂。报道指出，中国工厂将在此轮扩产中发挥核心作用，尤其是无锡厂作为SK海力士最大的DRAM生产基地，负责生产用于HBM封装的DRAM die。公司计划通过工艺升级和设备导入，在不显著增加新产线的前提下提升晶圆产出。
黄仁勋“晶圆留言”背后的供需现实
在2026年台北国际电脑展（ComputeX 2026）上，黄仁勋到访SK海力士展台时，在一枚晶圆上写下“Please Make More”，此举被广泛解读为AI芯片厂商对HBM内存供应紧张的无奈呼吁。但根据SK海力士高层的表态，公司在AI需求爆发初期就已制定激进扩产计划，黄仁勋的留言更多是凸显供需矛盾的尖锐程度，而非催生扩产决策的直接原因。
事实上，SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-jung）曾在2025年财报会议上表示，公司2026年的HBM产能已全部售罄，而2027年产能也处于接近满订的状态。因此，翻倍产能不仅是满足现有客户需求，更是为下一代HBM4和HBM4E产品预建产能基础。
AI内存格局：DRAM产能瓶颈与HBM的“甜蜜负担”
AI大模型训练与推理对HBM的渴求，已成为当前半导体产能分配的最大变量。与逻辑芯片不同，HBM需要通过硅通孔（TSV）技术将多层DRAM die垂直堆叠，单颗HBM3E 12层堆叠芯片就需要消耗12颗DRAM die。SK海力士此轮扩产将重点增加用于HBM的先进DRAM wafer投片，同时对用于服务器DDR5的内存也保留一定弹性。
市场研究机构TrendForce指出，2026年HBM在DRAM总产能中的消耗占比将从2024年的15%攀升至30%以上，而SK海力士作为HBM市场的领导者，必须提前锁定设备产能。公司已向ASML、东京电子等关键设备供应商追加高数值孔径（High-NA）EUV光刻机和蚀刻设备订单，确保制程从1β纳米向1c纳米过渡期间产能不卡顿。
Finbuzz：扩产节奏与财务压力并存
产能翻倍计划需要巨额资本支出。SK海力士2026年设备投资规模已超过20万亿韩元（约合1440亿元人民币），较2025年增长约40%。公司计划通过经营现金流和部分银团贷款覆盖投资，同时放缓非核心业务支出。崔泰源在ComputeX受访时坦言，扩产节奏必须与客户需求“动态适配”，避免2028年后可能出现的供过于求。
值得一提的是，三星电子（Samsung Electronics）和美光（Micron）也在同步扩张HBM产能，但SK海力士凭借先发优势以及与英伟达的深度绑定，在良率和客户认证上仍保持领先。此次扩产计划将进一步巩固其AI内存第一供应商的地位。
结语（非标题，而是内容自然结束）
SK海力士产能翻倍计划早在黄仁勋“请愿”之前就已成型，反映出存储厂商对AI需求的前瞻判断。随着2030年产能目标的逐步落地，HBM供应紧张局面有望逐步缓解，但在此之前，整个产业链仍将经历一段产能爬坡的“甜蜜煎熬”。
名词解释：
HBM（高带宽内存）：一种通过硅通孔（TSV）技术将多个DRAM die垂直堆叠，并与GPU/CPU通过中介层封装的高带宽存储器。目前主流产品为HBM3E，下一代HBM4预计2027年量产。
DRAM晶圆投片量（Wafer Input）：指晶圆厂在既定时间内投入生产线的晶圆数量，是衡量产能的核心指标。SK海力士计划到2030年实现每月100万片DRAM晶圆的投片能力，较当前约50万片翻倍。
1β／1c纳米制程：DRAM制程节点代号，1β代表第五代10nm级工艺，1c则为第六代。更小节点可提升存储密度和能效，是增加HBM颗粒数量而不扩大芯片面积的关键。
本文参考来源：Wccftech
