阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯日前透露，他已就TeraFab半导体项目与埃隆·马斯克进行直接沟通。富凯在接受路透社采访时表示，这位SpaceX与特斯拉创始人对于打造有史以来规模最大的芯片制造基地之一态度非常认真。
TeraFab项目启动与产业影响
马斯克于今年3月官宣启动TeraFab项目，首期投资200亿美元，计划落户得克萨斯州，实现逻辑芯片、存储芯片与先进封装业务一体化生产。英特尔已于4月入局该项目，拟投入自家14A制程工艺技术。此外，SpaceX已向相关部门提交申请，计划在得州格兰姆斯县建设一座耗资550亿美元的半导体厂区，项目后续扩建总成本最高或将达1190亿美元。富凯并未透露他与马斯克谈话的具体细节，但他表示，未来数年TeraFab、星链这类大型项目将持续挤压半导体设备厂商的产能供给。在比利时安特卫普的一场科技活动上，富凯警告称，人工智能需求暴涨，将使得全球半导体行业在未来很长一段时间内持续面临产能紧缺的局面。
阿斯麦的技术优势与出口管制立场
阿斯麦是全球唯一能够供应极紫外（EUV）光刻设备的企业，该设备是量产顶尖先进芯片的必备核心设备。任何希望入局高端芯片制造的新晋企业，包括TeraFab，都必须斥资数十亿美元采购阿斯麦的相关设备。目前台积电、三星、SK海力士、美光、英特尔等全球主流晶圆厂与存储芯片厂商，均已向阿斯麦下达设备订单。富凯预判，搭载阿斯麦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻设备量产的首批逻辑芯片，数月内就将面世。英特尔是该设备最早的落地应用企业，已于去年年底在俄勒冈州D1X晶圆厂完成双子扫描EXE:5200B机型的装机与验收测试。这款高数值孔径设备搭载0.55数值孔径镜头，单次曝光所能实现的晶体管密度约为现役极紫外光刻设备的2.9倍。
在出口管制议题上，富凯公开反对美国议员上月提出的《MATCH法案》。该法案拟禁止阿斯麦向中国客户出售深紫外（DUV）光刻设备并停止提供相关售后维保服务。富凯指出，阿斯麦目前对华出口的浸没式深紫外光刻设备核心技术源自2015年，相较当前顶尖技术落后八代，加码出口限制只会倒逼中国加速自研同类替代设备。他以比喻强调：“倘若把人丢进沙漠，还断了所有食物来源，那人多久能自己开垦出菜园？这本质就是生存问题。”此外，富凯证实阿斯麦正研发第二款先进封装设备，将业务版图从光刻领域向外拓展。他坦言目前封装业务尚处于起步阶段，但该赛道未来将为公司开辟全新增长机遇。
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