美国内存巨头美光（Micron）近日在波士顿举行的第54届J.P. Morgan全球科技、媒体和通信（TMC）大会上表示，内存市场在HBM（高带宽内存）、DRAM和NAND产品上的供应紧张将持续到2026年之后。摩根大通在随后发布的投资报告中披露了美光管理层的这一观点，并指出该判断进一步强化了AI内存领域的长期景气预期。
摩根大通在报告中写道，美光管理层认为高性能内存芯片能够显著提升人工智能模型的性能，但这类芯片的供应难以快速增加。因此，HBM、DRAM和NAND的供应紧张预计将持续相当长的时间。美光在大会上详细分析了导致市场紧张的多重因素，主要集中在技术层面。
供应紧张背后的三大技术动因
每代性能增益放慢
据摩根大通记录的美光管理层的分析，内存芯片每代性能提升的幅度正在递减。过去通过尺寸微缩就能获得显著性能增长的路径已经变得艰难，后续节点带来的性能收益越来越有限。这一趋势意味着，要达到相同的性能提升目标，需要更复杂的电路设计和更先进的制造工艺，从而限制了单位时间内的有效产能增长，推高了供应成本。
新一代HBM芯片尺寸显著增大
在HBM领域，最新一代产品的芯片尺寸（die size）相比前代有了明显增大。更大的芯片面积直接导致单个晶圆上可切割的芯片数量（DPW）下降，使得整体供应量难以快速扩张。HBM因其在AI加速器中的关键角色，需求量增长迅速，尺寸增大与需求攀升的矛盾在HBM产品线上表现得尤为突出。
EUV光刻工艺成为DRAM产能瓶颈
在DRAM制造方面，EUV（极紫外）光刻技术对实现最新工艺节点至关重要。然而，EUV光刻设备的产能有限，且工艺成熟度仍在提升过程中。光刻环节的复杂度增加直接延长了晶圆生产周期，并限制了生产良率的爬升速度，进一步制约了DRAM产能的有效提升。
AI需求拉动与供给端的结构性矛盾
生成式人工智能的训练和推理任务对内存带宽和容量提出了前所未有的需求。HBM作为GPU等AI加速器的核心配套存储芯片，需求量持续攀升；DRAM和NAND存储也因AI服务器和数据中心的激增而保持高消耗。在需求端快速扩张的背景下，供给端的扩张速度却受到技术瓶颈、设备产能和投资周期的严重制约。
美光在大会上的表态进一步确认了行业面临的供给侧约束。半导体制造工厂从规划到量产通常需要2-3年时间，而关键设备的交付周期也在持续延长。因此，即便内存厂商当下启动扩产计划，新增产能也很难在短期内投放市场。这种供给侧的刚性使得市场在较长时间内都将处于供应紧张状态。
摩根大通在报告中表示，美光的观点使其更确信AI内存市场将迎来持续多年的增长周期。对于已经习惯短期波动的内存行业而言，此次短缺的持续时间将超出此前许多市场分析师的预期。
本文参考来源：Wccftech
