据韩媒 ZDNET Korea 2025 年 5 月 23 日报道，业界消息人士透露，铠侠（KIOXIA）计划在 2027 年量产其第十代 BiCS FLASH 产品（BiCS10），该闪存将采用 332 层堆叠技术。相关投资细节预计在 2026 年下半年将进一步明确，此量产时间点较此前外界预期的 2026 年有所推迟。
BiCS10 技术规格与性能提升
根据披露信息，BiCS10 在技术指标上有明显升级。该产品将存储单元堆叠层数提升至 332 层，支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较于当前量产的 BiCS8 提升了 59%。更高的堆叠层数和位密度意味着在相同晶圆面积内可容纳更大的存储容量，从而更好地满足数据中心、企业级存储以及大容量消费级市场对高性能、高密度闪存解决方案的持续需求。
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回顾铠侠的技术演进路线，其在 BiCS8 代便引入了 CBA（CMOS Direct Bonded to Array，CMOS 直接键合到存储阵列）架构，将 NAND 存储单元与外围电路解耦，允许两部分独立制造后直接键合，从而优化制程复杂度和设计灵活性。基于现有存储单元技术和最新 CMOS 工艺的 BiCS9 产品已于去年完成出样，为 BiCS10 在层数和接口速率上的进一步突破奠定了技术基础。
BiCS10 的量产时间从 2026 年调整至 2027 年，反映出铠侠在产能投资与技术验证上采取稳健推进策略。相关资本支出细节将在 2026 年下半年逐步明朗，届时外界可对铠侠的下一代 NAND 闪存量产规划有更清晰的了解。
本文参考来源：IT之家
