消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10(332 层)3D NAND 闪存

据韩媒报道,铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH(BiCS10)332层3D NAND闪存,支持4.8Gbps I/O接口速率,位密度较BiCS8提升59%。相关投资细节将在2026年下半年明确。

据韩媒报道,铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH(BiCS10)332层3D NAND闪存,支持4.8Gbps I/O接口速率,位密度较BiCS8提升59%。相关投资细节将在2026年下半年明确。