华为自研DoB封装技术量产122TB SSD,绕开3D NAND制裁限制

华为在IDI Forum 2026展示基于自研板上裸片封装(DoB)的大容量SSD系列,已量产61.44TB和122.88TB产品,通过封装创新绕开3D NAND限制,提供国产化企业级存储方案。

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2026年5月24日,在巴黎举办的华为IDI Forum 2026活动上,华为展示了基于自研Die-on-Board(板上裸片封装,简称DoB)封装技术的大容量SSD系列。该系列目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品,245TB版本也在规划之中。此举旨在为AI数据中心和海量存储场景提供国产化方案,也是华为在存储领域突破技术封锁的最新成果。

由于被列入美国实体清单,华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片。在原有库存耗尽后,华为只能使用长江存储等中国本土厂商生产的NAND闪存。如果继续沿用行业通用的传统封装方案,其SSD产品在容量上会明显落后于主流厂商的同类产品。正是在这样的背景下,华为选择绕开3D NAND层数竞赛,转而在板级封装领域进行底层创新。

DoB封装技术原理

DoB板上裸片封装是华为自研的晶圆级组装技术,其核心逻辑与行业通用的传统SSD封装存在本质区别。三星、铠侠、美光等主流厂商均采用“先封装后焊接”的传统模式,即先将NAND闪存裸片放入TSOP(薄型小尺寸封装)或BGA(球栅阵列封装)的标准封装体内进行多芯片堆叠,制成独立的成品芯片后,再通过引脚或焊球焊接到SSD的PCB主板上。

其中TSOP是早期主流封装,引脚分布在芯片两侧;BGA则是当前通用方案,将引脚改为底部焊球,能容纳更多堆叠层。但两者都受限于封装体的固定物理尺寸,传统工艺最多只能实现16层裸片堆叠。

而板上裸片封装彻底跳过了NAND芯片的独立封装环节,直接将未经封装的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。据国际存储行业权威媒体Blocks&Files报道,这种设计让华为能够在不依赖高堆叠层数3D NAND芯片的情况下,将单位空间内的容量密度提升了33%,同时突破了传统TSOP/BGA封装的16层堆叠物理限制,最高可实现36层裸片堆叠。

当然,这种封装方式也带来了散热管理和信号完整性两大行业难题。华为研发团队经过专项技术攻关,最终实现了该技术的规模化商用。

量产产品与存储方案

目前,这项自研技术已全面应用于华为企业级存储产品线。在本次展会上,华为展示了多款搭载DoB封装技术的存储设备。

OceanDisk 1800智能盘柜在2U空间内可提供1.47PB存储容量;OceanDisk 1610则能在相同空间内安装36块61.44TB SSD,总容量达到2.2PB。此外,早在2025年8月,华为就已发布搭载板上裸片封装技术的OceanStor Pacific 9926全闪分布式存储,该产品2U机箱可容纳36块122.88TB NVMe SSD,提供4.42PB的存储容量。

这些产品共同构成了华为在大容量企业级存储领域的国产化方案,适用于AI训练与推理、大数据分析、高性能计算等对存储容量和性能要求苛刻的场景。

华为通过自研的板上裸片封装技术,在无法获取最新3D NAND芯片的条件下,依然实现了大容量SSD的量产。这种封装层面的创新不仅规避了供应链限制,也为国产存储技术的发展提供了新的技术路径。从61.44TB到122.88TB,再到规划中的245TB版本,华为正逐步构建起完整的大容量SSD产品矩阵,以满足日益增长的AI与大数据存储需求。

本文参考来源:驱动之家新闻_最新新闻

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