三星宣布12nm DDR5 DRAM量产，单die容量16Gb

本月，三星宣布12nm制程DDR5 DRAM开始量产，单die 16Gb，即2GB。三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，今年5月份正式开启量产计划。与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。

三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。