2026年5月29日，三星电子宣布已开始向全球主要客户出货业界首批12层HBM4E样品。这是继今年早些时候HBM4成功量产并商用发货之后，三星在高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）路线图上的又一次重要推进。HBM4E针对AI计算与超大规模基础设施需求，采用第六代10纳米（nm）级DRAM工艺（1c）与三星Foundry的4nm逻辑基底，整合了HBM4量产经验与技术改进，旨在应对日益增长的AI工作负载。
核心规格与性能
HBM4E的稳定引脚速度达到14Gbps，并可扩展至16Gbps，相比HBM4提升超过20%。高带宽能力使其能够满足日益密集的数据处理需求，每堆栈内存带宽高达3.6TB/s，有助于最大化大语言模型（LLM）和下一代AI系统的计算性能。
容量方面，12层堆栈提供48GB，较上一代产品提升超过30%。三星计划根据客户需求，进一步推出8层32GB和16层64GB配置，以覆盖不同应用场景。
工艺与能效优化
HBM4E充分利用了三星从HBM4量产中积累的经验，延续了行业最先进的第六代10纳米级DRAM工艺（1c）和三星Foundry的4nm逻辑基底，从而确保了工艺稳定性和可制造性。
设计上，通过对内存与逻辑架构的协同优化，HBM4E在性能、能效和良率方面均获得提升。同时，能效与散热性能也得到改善，有助于应对高功耗AI工作负载。
三星电子执行副总裁兼内存开发负责人Sang Joon Hwang表示：“在HBM4成功量产后，HBM4E再次展示了三星独特的技术优势。通过先进制造能力和前瞻性基础设施投资，我们将持续推动全球AI内存市场的发展。”
此次HBM4E样品出货是三星扩展HBM路线图的重要里程碑，进一步巩固了其在下一代HBM市场的领导地位。面对AI计算和超大规模数据中心的持续演进，HBM4E将为客户提供更高带宽与更大容量的内存解决方案。
本文参考来源：Samsung Tomorrow
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