三星研发出更高性能闪存芯片一叶2012年11月15日业界 快讯:三星研制出更小的存储芯片。采用10纳米制程工艺,容量达到了64GB,而且能够得到更快的传输速度,在测试中写入速度可以达到50MB,读取速度260MB。预计下个月就可以开始量产,新技术的应用将促进手机向更薄更快的方向上发展。 微信扫描下方的二维码阅读本文 Tags# 三星# 存储# 芯片 一叶 一个好奇的玩家,热爱生活,更热爱探索 文章: 1178 相关文章 三星宣布12nm DDR5 DRAM量产,单die容量16Gb 三星准备把iPhone5列上其诉讼清单 三星Exynos Auto V920处理器将用于现代汽车