GAAFET是什么工艺？和RibbonFET、MBCFET、N2 GAA有什么区别？
在半导体先进制程的演变过程中，晶体管架构的每一次根本性变更都标志着物理极限的进一步突破。随着制程技术迈入埃米（A…
标签： 芯片制程
英特尔RibbonFET是什么？和FinFET工艺有什么区别？
在半导体先进制程的演进过程中，晶体管架构的每一次根本性变革都预示着芯片性能极限的突破。自2011年英特尔在22纳米节…
详解Intel 18A工艺，英特尔RibbonFET是什么？
在 2026 年初的全球半导体版图中，英特尔（Intel）正式进入了 1.8 纳米（18A，官方新闻稿介绍）工艺的高量产阶段（HVM…
英特尔推出酷睿 Ultra 300 系列处理器，大+中+小核设计，核显性能提升77%
在2026年国际消费电子展（CES 2026）期间，英特尔正式发布了代号为 Panther Lake 的全新酷睿 Ultra 300 系列处理器。作…
跨越FinFET极限：台积电2纳米GAA架构正式步入量产阶段
随着2025年进入尾声，全球半导体代工领军者台积电（TSMC）正式宣布其2纳米（N2）工艺进入量产阶段。这一节点的到来不仅…