标签： 横向功率器件

三安光电联合西安电子科技大学、镓仁半导体在氧化镓同质外延技术取得关键突破，采用MOCVD法制备出高质量2英寸外延层，表面粗糙度低于0.5nm，电子迁移率达100 cm²/(V·s)；基于此的横向功率器件击穿电压达1420V，开关比10⁵，具备向6英寸扩展基础，推动第四代半导体商业化。