佐治亚理工学院开发新型铁电NAND闪存:抗辐射能力达传统30倍美国佐治亚理工学院研发出一种基于氧化铪铁电材料的新型NAND闪存,抗辐射能力达传统闪存30倍,可承受100万拉德辐射,同时具备AI任务处理能力,适用于太空等极端环境。 阿逸2026年5月22日