标签: 光电流开关

激光驱动自旋电子存储器件开关速度达DRAM千倍

Laser-driven spintronic memory device switches 1,000 times faster than DRAM —non-volatile device swi

东京大学研究人员展示一种激光驱动非易失性磁开关器件,基于反铁磁材料Mn₃Sn,在40皮秒内完成状态翻转,速度是传统DRAM的1000倍,功耗极低且几乎不发热。该技术被认为有助于缓解AI硬件中数据移动和存储带来的能耗与散热挑战。