成熟节点代工格局：GlobalFoundries、UMC、SMIC各自为战
在台积电与三星冲刺2nm的同时，GlobalFoundries、UMC和SMIC三大成熟节点代工厂正以截然不同的策略扩张22nm及以上产能。GlobalFoundries深耕特色工艺，UMC借Intel进入12nm FinFET，SMIC则极限利用DUV光刻，各有侧重。
标签： 中芯国际(SMIC)
华为公布逻辑折叠芯片技术，剑指1.4纳米节点，2031年挑战台积电
华为在上海半导体研讨会上宣布，计划在2031年通过自研“逻辑折叠”技术实现等效1.4纳米制程的晶体管密度。该技术通过堆叠两颗芯片增加密度，无需先进EUV光刻机。结合SAQP等工艺，华为意图在2030年代中期追赶上台积电同代节点，但散热等工程挑战尚未明朗。
中微公司尹志尧：中国首创刻蚀技术全球效仿 中芯国际率先采用
技术原创与成本优势 中微公司不仅首创了甚高频去耦合反应离子刻蚀技术，还首创了双台机设计。该设计可单台操作，同时刻…
Kirin2026：华为宣称下一代旗舰SoC能效提升41%，晶体管密度达238 Mtr/mm²
华为官方近日公布了下一代海思Kirin旗舰SoC Kirin2026（或命名为Kirin9050）的规划。该芯片将采用新的芯片设计理念和LogicFolding技术，晶体管密度达到238 Mtr/mm²，性能核心最高频率提升12.7%，能效提升41%，并有望在成本方面取得优势。芯片预计今年晚些时候推出，代工业务依赖于中芯国际（SMIC）。尽管规格大幅提升，但与高通等采用台积电和三星先进节点的SoC相比，Kirin2026仍将处于劣势。