全球存储器产能的区域分布正被改写，中国厂商在其中的分量逐年加重，其份额走势已成为市场关注的焦点。
本周，一份行业分析报告指出，中国存储器生产能力正加速追赶，预计到2030年，其全球市场份额将从目前的约一成提升至两成，这意味着全球每生产五片DRAM晶圆就有一片来自中国。
根据多家韩国媒体及科技行业数据源整理的信息，当前中国存储器产能在全球的占比约为10%出头。而TechInsights首席战略官Dan Kim等业内人士判断，这一数字到2030年将增长至20%左右。这一预测主要基于中国存储企业持续的产能扩张以及政府主导的资本投入。
市场份额的翻倍直接指向了对现有产业格局的冲击。韩国存储产业目前仍由三星电子与SK海力士等巨头主导。韩媒普遍将中国存储产能的快速扩张视为对这两家韩企的实质性威胁。特别是在当前AI基础设施需求推动全球存储器市场进入高景气周期，主要企业营业利润率可能接近80%的背景下，任何产能格局的变动都牵动行业神经。
中国存储器的崛起代表并非仅是产能数字的增加。以长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）为首的企业，正在同步推进面向AI基础设施的高附加值产品。在动态随机存取存储器（DRAM）领域，中国最大厂商长鑫存储已取得显著技术进展。
技术突破是市场担忧的另一个核心。长鑫存储已开始量产下一代移动DRAM标准LPDDR6，这通常被视为与国际一线厂商技术代差缩小的重要标志。同时，该公司实现了被称为“G5”的约15纳米级工艺量产。在更前沿的高带宽存储器（HBM）领域，长鑫存储正与中国服务器企业持续推进量产验证，试图打入被三星和海力士垄断的AI芯片存储供应链。
分析人士指出，中国存储产业的扩张有其独特的模式优势。Dan Kim认为，中国通过政府主导的资本投入持续扩大存储器产业投资，这种投资模式受半导体行业固有的周期性波动影响相对较小。这使得扩产计划更具持续性和稳定性，能够更平稳地度过行业下行期。
尽管在尖端技术领域仍有差距，但中国存储器企业凭借产能规模、政策支持和技术迭代的多重驱动，正在全球市场争取更大的话语权。目前长鑫存储已量产LPDDR6，G5约15纳米工艺落地，并正与国内服务器企业推进HBM量产验证，长江存储亦在扩产，中国存储器产能占全球的比重预计到2030年将达20%。
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