思特威发布首颗国产2亿像素Stacked BSI传感器SCC62HS，手机影像硬件再升级

2026年6月2日，国产CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens）正式发布了其首颗采用高性能堆栈背照式（Stacked BSI）平台的2亿像素传感器——SCC62HS。该传感器基于55nm Stacked BSI工艺制程，光学尺寸为1/1.55英寸，像素尺寸为0.5μm，支持PixGain HDR、SFCPixel及AllPix ADAF等多项自主技术。根据官方信息，SCC62HS已规划于2026年第三季度进入量产阶段。

国产CMOS高端化突破

SCC62HS是国产传感器厂商推出的首颗2亿像素级别堆栈背照式CMOS，填补了国内供应链在超高像素移动图像传感器领域的空白。此前，2亿像素传感器市场主要由三星（Samsung）ISOCELL系列和索尼（Sony）IMX系列主导，国产厂商长期缺失对应的堆栈背照式产品。思特威此次发布，标志着国产CMOS在高端移动影像核心组件上具备了与国际竞争对手同台竞技的硬实力。

在国产CMOS阵营中，豪威（OmniVision）已经推出过2亿像素背照式传感器（例如OVB0B），但采用的是非堆栈结构。思特威通过Stacked BSI工艺实现了更紧凑的芯片设计，并强化了电路性能。两款产品的技术路线虽有不同，但共同推进了国产供应链在超高像素领域的覆盖范围。

核心规格与技术参数

SCC62HS的有效像素约为2亿（16384×12288），单张照片分辨率极高，方便后期放大裁剪。光学规格为1/1.55英寸，与索尼IMX890（1/1.56英寸）处于同一级别，略小于IMX707（1/1.28英寸），属于主流大底范畴。像素尺寸0.5μm，在保持高解析力的同时依靠堆栈背照式结构减小像素间距带来的串扰，降低暗部噪声。

工艺上，55nm Stacked BSI工艺使得感光层与逻辑电路层分离堆叠，一方面提高了单位面积的像素密度，另一方面提升了电路设计空间。该传感器支持多合一像素合并模式（如四合一输出1.0μm等效像素），兼顾了高分辨率与良好的弱光表现，灵活性较强。

PixGain HDR与对焦技术

思特威自研的PixGain HDR技术通过双增益转换同步输出高动态范围图像，有效抑制运动物体拖影和伪影。这一特性对于拍摄运动场景或光线反差大的环境尤为重要。此外，SFCPixel技术优化了像素信号的读取效率，进一步降低噪声。

对焦方面，AllPix ADAF全像素双核对焦方案覆盖整个传感器区域，相位检测点密度较传统方案更高，暗光对焦速度和精度有望提升。结合HDR能力，SCC62HS在应对复杂光线与动态场景时具备较好的基础素质。

量产时间与市场定位

思特威已确认SCC62HS将于2026年第三季度量产。这个时间节点与下一代旗舰手机的开发周期相符，预计将进入国产高端智能手机的影像方案备选视野。IDC在2026年3月的报告中预测，中国手机市场将进入双2亿像素普及期，高端影像旗舰会全焦段配备2亿像素传感器。SCC62HS正是面向这一趋势推出的关键产品。

与市场上的三星HP系列、索尼IMX系列相比，SCC62HS在像素数、工艺结构上基本看齐，而本土优势则体现在供货稳定性、定制化响应速度以及更紧密的客户合作关系上。对于希望实现供应链多元化的国产手机品牌而言，这颗传感器提供了新的选择。

对手机影像系统的影响

2亿像素传感器对信号处理和算力要求极高，需要SoC集成高性能ISP和AI算法。当前高通骁龙8 Gen 4、联发科天玑9400等旗舰芯片均加强了对高像素多摄的支持，理论上能满足SCC62HS的数据吞吐需求。同时，像素合并技术使得日常拍摄也可以输出平衡画质与解析力的照片。

手机厂商在集成该传感器时，还需要开发配套的降噪、色彩还原等算法。不过考虑到国产厂商在影像调校方面的成熟经验，SCC62HS的落地难度不会太大。最终用户体验将取决于软硬件的综合优化。

名词解释：

Stacked BSI（堆栈背照式）： 将背照式像素层与逻辑电路层通过堆叠方式整合，减小芯片面积，提高感光性能和电路集成度。相比前照式，噪点和暗电流表现更好。

PixGain HDR： 思特威自研的高动态范围技术，通过双增益转换同步输出，扩展动态范围并抑制运动伪影。

AllPix ADAF（全像素双核对焦）： 利用每个像素点的相位差检测实现快速自动对焦，覆盖全画面范围，提升对焦性能。

本文参考来源：相机Beta (微信公众号/we-mp-rss)