三星研发出更高性能闪存芯片

一叶
2012年11月15日
业界

快讯：三星研制出更小的存储芯片。采用10纳米制程工艺，容量达到了64GB，而且能够得到更快的传输速度，在测试中写入速度可以达到50MB,读取速度260MB。预计下个月就可以开始量产，新技术的应用将促进手机向更薄更快的方向上发展。

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一叶

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