三星研发出更高性能闪存芯片一叶2012年11月15日业界 快讯:三星研制出更小的存储芯片。采用10纳米制程工艺,容量达到了64GB,而且能够得到更快的传输速度,在测试中写入速度可以达到50MB,读取速度260MB。预计下个月就可以开始量产,新技术的应用将促进手机向更薄更快的方向上发展。 微信扫描下方的二维码阅读本文 标签# 三星# 存储# 芯片 一叶 一个好奇的玩家,热爱生活,更热爱探索 文章: 1290 相关文章 微软再胜一局,三星考虑用Bing替换Google作为手机搜索引擎2023年4月18日 2012最热门科技产品Hot100之70——三星DA-E7502012年5月24日 英伟达联发科联手出击:2025台北电脑展推出ARM架构AI笔记本电脑2025年5月7日