三星研发出更高性能闪存芯片

快讯:三星研制出更小的存储芯片。采用10纳米制程工艺,容量达到了64GB,而且能够得到更快的传输速度,在测试中写入速度可以达到50MB,读取速度260MB。预计下个月就可以开始量产,新技术的应用将促进手机向更薄更快的方向上发展。

一叶

互联网信徒,憧憬未来智能生活

You may also like...

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *